Composition de carbure de silicium / Sic dans la métallurgie des minéraux GG

Composition de carbure de silicium / Sic dans la métallurgie des minéraux GG

Ce produit a une stabilité chimique, une conductivité thermique élevée, un coefficient de dilatation thermique plus petit et une meilleure résistance à l'abrasion.
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Description

Paramètres techniques

Présenter

1) une grande pureté, une distribution granulométrique étroite et une plus grande surface spécifique;
2) Ce produit a une stabilité chimique, une conductivité thermique élevée, un coefficient de dilatation thermique plus petit et une meilleure résistance à l'abrasion;
3) Sa microdureté est de 2840 ~ 3320kg / mm2 et sa dureté est comprise entre le corindon et le diamant; Sa résistance mécanique est supérieure à celle du corindon;
4) C'est un semi-conducteur et résistant à l'oxydation à haute température.

Index des performances

Article / produitIndice
Unité
Température de fonctionnement≤ 1380ºC
Densité3.02g / cm³
PorositéGG lt; 0,10%
Résistance à la flexion250(20ºC)MPa
280(1200ºC)MPa
Module d'élasticité330(20ºC)GPa
300(1200ºC)GPa
Coefficient de conductivité thermique45(1200ºC)W/m.k
Coefficient de thermique
Expansion
4.5K-1x10-6
Dureté Mohs13
Résistant aux acides et aux alcalisExcellent

Application de poudre de carbure de silicium

Matériau réfractaire de haute qualité; Matériau à usage spécial pour le polissage de l'abrasif; Roulements en céramique; Pièces de moteur en céramique; Meules; Céramiques textiles; Céramiques à haute fréquence; Disque dur et support pour les modules multi-puces; Semi-conducteurs haute température et haute puissance; Roulements en céramique à haute température; Pièces de transport de fluides à haute température; Matériaux de meulage de haute dureté; Vannes d'étanchéité haute température; Buses de pulvérisation à haute température; Substrat de circuit intégré; Prise en charge du catalyseur; Miroir ou revêtements pour environnement ultraviolet extrême; Éléments chauffants à résistance; Matériaux de renforcement pour Al, Al2O3, Mg et Ni.

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